يك شركت تحقيقاتي تايواني اعلام كرد كه از اين پس RRAM يا رم‌هاي مقاومتي مي‌توانند به عنوان يك تراشه حافظه‌اي جايگزين براي DRAM و حافظه‌هاي فلش ناند مورد استفاده قرار گيرند.

به گزارش فارس، حافظه‌هاي DRAM مهم‌ترين حافظه‌هايي هستند كه طي دهه‌هاي گذشته در رايانه‌ها مورد استفاده قرار گرفته‌اند و به دليل توانايي در اجراي اطلاعات با سرعت بالا، از ارزش زيادي برخوردارند.

حافظه‌هاي فلش ناند نيز از فناوري‌هاي جديد محسوب مي‌شوند كه بازار آن با سرعت قابل‌ملاحظه‌اي رشد كرده است، زيرا اين امكان را به وجود آورده‌اند تا حجم زيادي از فايل‌هاي صوتي، عكس و ديگر اطلاعات در رايانه لوحي آي‌پد، دستگاه‌ چندرسانه‌اي قابل‌حمل آي‌پاد، گوشي آيفون، دوربين‌هاي ديجيتالي و ديگر محصولات ذخيره شود.

محققان موسسه تحقيقات فناوري تايوان(ITRI) بر اين باورند كه RRAM توانايي كامل خود را به اثبات رسانده و مي‌تواند طي سال‌هاي آتي به صورت گسترده وارد بازار شود.

“تساي مينگ-جين ” مدير تحقيقات مركز فناوري نانوالكترونيك در موسسه ITRI توضيح داد: ما هنوز در مراحل نخست توسعه اين فناوري به‌سر مي‌بريم. ما هم‌اكنون نمي‌توانيم به حافظه‌هاي DRAM اعتماد كامل داشته باشيم.

تاكنون بيشتر فعاليت‌هاي تحقيقاتي مبتكرانه روي تراشه‌هاي حافظه بر DRAM و حافظه‌هاي فلش ناند تمركز داشته است، زيرا اين دو محصول توانسته‌اند به صورت گسترده بازار را در اختيار بگيرند. بر اساس اطلاعات منتشر شده از سوي مركز iSuppli، ارزش بازار جهاني DRAM در سال گذشته به‌تنهايي 24 ميليارد دلار اعلام شد.

بايد توجه داشت كه به‌طور معمول بيشتر تلاش‌ها براي بيرون كردن اين دو حافظه از بازار تاكنون با شكست مواجه شده است. براي مثال، حافظه‌هاي PRAM يا (Phase-change memory) يكي از بخش‌ها در دنياي تراشه‌هاي حافظه‌اي محسوب مي‌شوند كه مركز ITRI قصد دارد در سال جاري ميلادي تمركز خود را بر آن‌ها كاهش دهد و ديگر براي توسعه و توليد آن تلاش نكند.

بیشتر بدانید:   iPad جايگزين ابزارهای آموزشی سنتی در مدارس اسکاتلند

نظر خود را بنویسید

لطفا نظر خود را بنویسید
لطفا نام خود را وارد کنید

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.